特許
J-GLOBAL ID：200903012296441981

基板処理方法および基板処理装置

発明者：
永見 宗三

永見 宗三 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-344026
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156648
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】有機溶剤を用いた基板処理において、乾燥性能を低下させることなくレジスト膜の溶解を抑制する。【解決手段】基板Wの浸漬中に第1の気体吐出部565および第2の気体吐出部566から窒素ガスを吐出し、ケーシング560内から不要な酸素や水蒸気を排除しておく。そして、純水から基板Wを引き揚げつつ、第2の気体吐出部566からIPA蒸気を吐出する。引き揚げられる基板Wには、直接的にIPA蒸気が吹き付けられるので、基板Wの表面にIPAが効率よく凝縮する。このため、乾燥性能を低下させることなく、供給するIPAの濃度を低下させることができ、基板W表面に形成されたレジスト膜の溶解を防止することができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
処理室の内部において、処理槽に貯留した純水に基板を浸漬して洗浄した後、純水から基板を引き揚げて基板を乾燥する基板処理方法であって、 純水に基板を浸漬しつつ、前記処理室内における前記処理槽上方の中心部空間および上部空間に向けて不活性ガスを吐出する第1の工程と、 純水から基板を引き揚げつつ、基板に向けて有機溶剤を吐出する第2の工程と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B08B 3/04 ,  B65G 49/04 ,  H01L 21/677
FI (6件)：
H01L21/304 651K ,  H01L21/304 642A ,  H01L21/304 651H ,  B08B3/04 Z ,  B65G49/04 D ,  H01L21/68 A
Fターム (26件)：
3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB08 ,  3B201AB45 ,  3B201BB02 ,  3B201BB22 ,  3B201BB82 ,  3B201BB88 ,  3B201BB93 ,  3B201CB12 ,  3B201CC12 ,  3B201CD22 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031DA01 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA03 ,  5F031FA07 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031HA72 ,  5F031MA23
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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