特許
J-GLOBAL ID：200903012309122554

シリコン酸化膜の形成方法と半導体ウェーハ、及びMOSデバイス用ウェーハの製造方法とMOSデバイス用ウェーハ

発明者：
野上 彰二

野上 彰二 について

, 
山岡 智則

山岡 智則 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380744
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184774
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 シリコン酸化膜の形成方法と半導体ウェーハ、及びMOSデバイス用ウェーハの製造方法とMOSデバイス用ウェーハにおいて、膜質の優れた1〜数nmオーダーの極薄シリコン酸化膜を形成すること。【解決手段】 シリコンウェーハの表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、水素雰囲気中で前記シリコンウェーハを加熱してシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を熱処理する熱処理工程を備え、該熱処理工程は、圧力をP(Pa)とし、熱処理時間をt(min)とし、熱処理温度をT(K)としたとき、以下の関係式;P≧3×1017t0.5943e-36.549(1000/T)を満たす条件で行われる。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、水素雰囲気中で前記シリコンウェーハを加熱してシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を熱処理する熱処理工程を備え、該熱処理工程は、圧力をP(Pa)とし、熱処理時間をt(min)とし、熱処理温度をT(K)としたとき、以下の関係式;P≧3×1017t0.5943e-36.549(1000/T)を満たす条件で行われることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (11件)：
5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040FC00 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF57 ,  5F058BF63 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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