半導体受光素子、半導体受光装置および半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244464
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090540
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】他の導波路型光デバイスとの整合性が良く、容易に光軸調整ができ、かつ低バイアス電圧で高い受光感度を有する端面入射型の半導体受光素子を提供する。【解決手段】屈折率na、厚さWaを有する光吸収層18が屈折率nb1、厚さWb1の上部第2コア層17ならびに屈折率nb2、厚さWb2の下部第2コア層19に挟まれており、さらに屈折率nc1の上部クラッド層16と屈折率nc2の下部クラッド層20で挟み、それらの屈折率がnc1、nc2<nb1、nb2<naの関係を有する端面入射型の導波路型受光素子において、入射光11のスポット半径Wfと光吸収層18の膜厚Wa、上部第2コア層17の膜厚Wb1、下部第2コア層19の膜厚Wb2との間に0.4≦(Wa+Wb1+Wb2)/(2×Wf)≦0.7の関係が、または0.3≦Wa/(Wa+Wb1+Wb2)≦0.5の関係を有する。

請求項（抜粋）：

屈折率na、厚さWaを有する光吸収層が屈折率nb1、厚さWb1の上部第2コア層ならびに屈折率nb2、厚さWb2の下部第2コア層に挟まれており、さらに上記半導体層を屈折率nc1の上部クラッド層と屈折率nc2の下部クラッド層で挟み、それらの屈折率がnc1、nc2<nb1、nb2<naの関係を有する端面入射型の導波路型受光素子において、入射光のスポット半径Wfと光吸収層の膜厚Wa、上部第2コア層の膜厚Wb1、下部第2コア層の膜厚Wb2との間に0.4≦(Wa+Wb1+Wb2)/(2×Wf)≦0.7の関係があることを特徴とする導波路型半導体受光素子。

IPC (3件)：

G02B 6/122 , G02B 6/42 , H01L 31/0232

FI (3件)：

G02B 6/12 B , G02B 6/42 , H01L 31/02 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体導波路型受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-155431 出願人：日本電信電話株式会社
半導体受光素子および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-170710 出願人：株式会社日立製作所
光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058289 出願人：富士通株式会社

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