特許
J-GLOBAL ID：200903012312693147
単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-294174
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147639
出願日： 2007年11月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。【解決手段】半導体やMEMSや光学レンズに使用されている単結晶ウエハーの表面の加工変質層である表面欠陥の修復方法において、単結晶表面にパルスレーザーを1回照射する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体やMEMSや光学レンズに使用されている単結晶ウエハーの表面の加工変質層である表面欠陥の修復方法において、単結晶表面にパルスレーザーを照射することを特徴とする単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/304
, B23K 26/00
H01L21/268 F
, H01L21/304 622P
, B23K26/00 G
4E068AA03
, 4E068AH00
, 4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CE01
, 4E068CE05
, 4E068DA10
