特許
J-GLOBAL ID：200903027503564727

半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231628
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶シリコン等の多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成可能な方法と、この方法を実施する装置を提供すること。【解決手段】 基体1上に高結晶化率、大粒径の多結晶性シリコン膜等の多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を形成するに際し、或いは基体1上に多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を有する半導体装置を製造するに際し、基体1上に低級結晶性半導体薄膜7Aを形成した後、この低級結晶性半導体薄膜7Aに近紫外線(UV)又は/及び遠紫外線(DUV)レーザーアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により低級結晶性半導体薄膜7Aの結晶化を促進して多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜7を得る、多結晶(又は単結晶)性半導体薄膜の形成方法、又は半導体装置の製造方法、及びこれらを実施するための装置。
請求項（抜粋）：
基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成する第1工程と、前記低級結晶性半導体薄膜に近紫外線(UV)又は/及び遠紫外線(DUV)レーザーアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第2工程とを有する、半導体薄膜の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/20 ,  B23K 26/00 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04
FI (10件)：
H01L 21/20 ,  B23K 26/00 E ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 J ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 31/04 X
Fターム (152件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092QA07 ,  4E068AH01 ,  4E068DA09 ,  5C094AA07 ,  5C094AA08 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA53 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA32 ,  5C094BA34 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F048AA08 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BE08 ,  5F048BF07 ,  5F048BG05 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB25 ,  5F051CB29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA06 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DA05 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052DB10 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052JA05 ,  5F052JA09 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN43 ,  5F110NN45 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP13 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (6件)
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