特許
J-GLOBAL ID：200903012356653665

低抵抗SiC単結晶の育成方法

発明者：
高橋 淳

高橋 淳 について

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大谷 昇

大谷 昇 について

, 
勝野 正和

勝野 正和 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106297
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗のSiC単結晶を高い歩留まりで育成する方法を提供する。【解決手段】 SiC単結晶からなる種結晶とSiC原料粉末を黒鉛製の坩堝内に配置し、前記原料粉末を加熱昇華させ、前記原料温度よりも低い温度に保った種結晶上に再結晶化させる方法において、雰囲気ガスとして窒素ガスを使用し、前記種結晶として{11-20}面から[0001]方向への傾き角αが-30°≦α≦+30°の範囲にありかつ[0001]軸の回りの回転角βが-10°≦β≦+10°の範囲にある結晶面基板を用いる。
請求項（抜粋）：
SiC単結晶からなる種結晶とSiC原料粉末を黒鉛製の坩堝内に配置し、前記原料粉末を加熱昇華させ、前記原料温度よりも低い温度に保った種結晶上に再結晶化させる方法において、雰囲気ガスとして窒素ガスを使用し、前記種結晶として{11-20}面から[0001]方向への傾き角αが-30°≦α≦+30°の範囲にありかつ[0001]軸の回りの回転角βが-10°≦β≦+10°の範囲にある結晶面基板を用いることを特徴とするSiC単結晶育成方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  C30B 27/00 ,  H01L 21/203
FI (4件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  C30B 27/00 ,  H01L 21/203 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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