研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：鈴木崇生 , 梶崎弘一 , 尾崎雄三 , 谷口俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-069498
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297062
出願日： 2004年03月11日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】酸性スラリーを用いて研磨を行う場合でも、使用開始から使用終了時までの長期にわたり高精度の光学的終点検知を維持し続けることができる研磨パッド、及び該研磨パッドを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ケミカルメカニカルポリッシングに用いられ、研磨領域および光透過領域を有する研磨パッド1であって、前記光透過領域8は、厚さが0.5〜4mmであり、かつ波長500〜700nmの全領域における光透過率が80%以上であり、さらにpH4のH2O2水溶液に24時間浸漬した後の測定波長λにおける光透過率T1(%)と、浸漬前の測定波長λにおける光透過率T0(%)との差であるΔT(ΔT=T0-T1)(%)が、測定波長400〜700nmの全範囲内で10(%)以内であること。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

ケミカルメカニカルポリッシングに用いられ、研磨領域および光透過領域を有する研磨パッドであって、前記光透過領域は、厚さが0.5〜4mmであり、かつ波長500〜700nmの全領域における光透過率が80%以上であり、さらにpH4のH2O2水溶液に24時間浸漬した後の測定波長λにおける光透過率T1(%)と、浸漬前の測定波長λにおける光透過率T0(%)との差であるΔT(ΔT=T0-T1)(%)が、測定波長400〜700nmの全範囲内で10(%)以内であることを特徴とする研磨パッド。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04

FI (4件)：

H01L21/304 622S , H01L21/304 622F , B24B37/00 C , B24B37/04 K

Fターム (7件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058BA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA13 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (13件)

米国特許第5069002号明細書
機械化学的ポリッシング装置用のポリッシングパッドへの透明窓の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221737 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-128482 出願人：ジェイエスアール株式会社

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審査官引用 (3件)

研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241457 出願人：ロデール・ニッタ株式会社
化学機械研磨用窓材及び研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-329662 出願人：ジェイエスアール株式会社
研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-183846 出願人：ロデール・ニッタ株式会社

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