特許

J-GLOBAL ID：200903012395746816

研磨剤およびキャリア粒子

発明者： 相澤 龍司 ,  谷 泰弘 ,  河田 研治 ,  榎本 俊之 ,  礪波 時夫
出願人/特許権者： 谷 泰弘 ,  株式会社日本触媒 ,  日本ミクロコーティング株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089617
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282497
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 研磨効率に優れる研磨剤および該研磨剤に使用するキャリア粒子を提供する。【解決手段】 キャリア粒子と砥粒とを含む研磨剤であって、該キャリア粒子の圧縮速度0.27g/secで測定した10%変位時の機械的強度が1〜50MPa、回復率が0.1〜10%、数平均分子量が5,000〜500,000かつガラス転移温度が120°C以下である研磨剤である。これらの特性の少なくともいずれか1つによって、キャリア粒子が柔軟性を有し、または研磨時のキャリア粒子の変形が維持されるため、被研磨対象物との接触面積が増大し研磨効率が向上する。

請求項（抜粋）：

キャリア粒子と砥粒とを含む研磨剤であって、該キャリア粒子の圧縮速度0.27g/secで測定した10%変位時の機械的強度が1〜50MPaであることを特徴とする研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 C

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び埋め込み配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074052   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用複合粒子及びその製造方法並びに水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-009902   出願人：株式会社東芝, ジェイエスアール株式会社
• CMP用スラリーおよびその形成方法、ならびに半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-214510   出願人：株式会社東芝