CMP用スラリーおよびその形成方法、ならびに半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214510
公開番号（公開出願番号）：特開2002-030271
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】低エロージョンかつ高オーバーポリッシングマージンのW-CMPを実現すること。【解決手段】CMP法を用いてW膜3を研磨する際に、スラリーとして、PMMA1(有機粒子)と二酸化マンガン2(無機粒子)とが熱接着してなる研磨粒子を含むものを使用する。

請求項（抜粋）：

無機粒子と有機粒子とが熱接着してなる研磨粒子を含むことを特徴とするCMP用スラリー。

IPC (7件)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , B24B 37/00 , C09K 13/00 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (8件)：

C09K 3/14 550 C , C09K 3/14 550 E , C09K 3/14 550 Z , B24B 37/00 H , C09K 13/00 , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 M

Fターム (9件)：

3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043AA40 , 5F043DD16 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (8件)

全件表示

前のページに戻る