特許
J-GLOBAL ID:200903012449223261
配線基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-337763
公開番号(公開出願番号):特開2003-142828
出願日: 2001年11月02日
公開日(公表日): 2003年05月16日
要約:
【要約】【課題】穴径が0.5〜150μm,深さ2〜100μm,アスペクト比(深さ/穴径)が6以下のブラインドビアホールを有し、そのブラインドビアホールを電気銅めっきにより穴埋めする工程を経て作られるビルドアップ基板において、電流密度を低下させずに、ボイドの発生がない穴埋め可能範囲を広げる。【解決手段】銅めっき液中の銅濃度を高め、さらにめっき液の液温も上昇させる。具体的には、銅(II)イオン50〜85g/L,硫酸 0〜100g/L,塩素イオン 1〜100mg/Lを含むめっき液を用い、温度 30〜65°Cでめっきを行う。さらに、ブラインドビアホールを有する基板に対して、表面に対して平行な流速 0.01m/s以上、より好ましくは、流速0.05〜0.5m/sの液流を与えて電気銅めっきを行う。
請求項(抜粋):
コアとなる多層プリント基板の表面に配線層を形成する工程と、配線層間の導通を形成するめっき工程とからなる配線基板の製造方法において、前記めっき工程が、穴径が0.5〜150μm,深さ2〜100μm,アスペクト比(深さ/穴径)が6以下のブラインドビアホールを有し、そのブラインドビアホールを電気銅めっきにより穴埋めする工程を経て作られる配線基板の製造方法にあって、ブラインドビアホールを穴埋めする工程に使用する電気銅めっき液は、銅(II)イオン 50〜85g/Lと,硫酸 0〜100g/Lと,塩素イオン 1〜100mg/Lを含むめっき液を用い、該電気銅めっき液の温度が30〜65°Cで電気めっきを行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (5件):
H05K 3/46
, C25D 3/38 101
, C25D 5/08
, C25D 7/00
, H05K 3/42 610
FI (5件):
H05K 3/46 N
, C25D 3/38 101
, C25D 5/08
, C25D 7/00 J
, H05K 3/42 610 B
Fターム (45件):
4K023AA19
, 4K023BA06
, 4K023CA09
, 4K023CB03
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K023DA11
, 4K024AA09
, 4K024AB02
, 4K024BA12
, 4K024BB11
, 4K024BC01
, 4K024CA02
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K024CA10
, 4K024CB13
, 5E317AA24
, 5E317BB01
, 5E317BB12
, 5E317CC31
, 5E317CC35
, 5E317CC39
, 5E317CD32
, 5E317GG05
, 5E317GG16
, 5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346CC57
, 5E346DD03
, 5E346DD23
, 5E346DD24
, 5E346DD25
, 5E346DD31
, 5E346EE33
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346HH07
, 5E346HH33
引用特許:
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