特許
J-GLOBAL ID：200903012480190215

半導体装置及びその製造方法

発明者：
岡田 紀雄

岡田 紀雄 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091426
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチングを利用して半導体装置を製造する場合、プラズマにより発生した電荷により配線が受けるダメージを抑制する。【解決手段】 開示されている半導体装置は、アルミニウム配線2間が、同アルミニウム配線2間に位置するように設けられた空洞5を有する層間絶縁膜6により絶縁され、空洞5の下面5aがアルミニウム配線2の下面2aと略同じ高さ位置に設けられている構造において、アルミニウム配線2間の半導体基板1表面に溝10が開口されて、同溝10及びアルミニウム配線2の側面が溝10開口時に用いられたダメージ防止シリコン酸化膜(側壁絶縁膜)4で覆われ、溝10に達するように層間絶縁膜6が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の配線が並んで形成され、互いに隣接する前記配線と配線との間の溝部の底面は、該溝部がプラズマエッチングされて前記各配線の下面よりもさらに深く掘り下げられた状態で、当該溝部は空洞を有する絶縁膜によって充填され、かつ、前記空洞の下面が前記各配線の下面と略面一に設けられている半導体装置であって、少なくとも前記配線の側面が、前記プラズマエッチング時の絶縁破壊を防止するための側壁絶縁膜で覆われてなることを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 N
Fターム (7件)：
5F033AA14 ,  5F033AA29 ,  5F033DA05 ,  5F033DA15 ,  5F033DA35 ,  5F033EA25 ,  5F033EA32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM