特許
J-GLOBAL ID：200903012534755655

半導体装置

発明者：
佐々木 誠

佐々木 誠 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

, 
宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について


代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-283530
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095996
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】パッケージと半導体素子との熱膨張係数の違いによる応力の発生を低減し、且つ、半導体素子を収納するパッケージの外部応力や熱膨張などによる変形に対して安定して動作することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、内部にキャビティ(101a及び101b)を有するパッケージ(下部容器101、スペーサ111及び上部蓋112)と、キャビティ(101a及び101b)の何れかの面から突出する端子102と、キャビティ(101a及び101b)の何れの面にも接触しないように、端子102に固定された半導体加速度センサチップ10とを有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
内部にキャビティを有するパッケージと、 前記キャビティの何れかの面から突出する支持部材と、 前記キャビティの何れの面にも接触しないように、前記支持部材に固定された半導体素子と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/04 ,  G01P 15/08 ,  H01L 29/84
FI (3件)：
H01L23/04 D ,  G01P15/08 P ,  H01L29/84 A
Fターム (11件)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA29 ,  4M112CA33 ,  4M112DA14 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112FA09 ,  4M112GA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
  • 特表平6-507048
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-002217   出願人：富士通株式会社
  • 特開昭62-274735
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