特許

J-GLOBAL ID：200903092215389194

半導体センサおよびその製造方法

発明者： 宮島 久和 ,  片岡 万士 ,  赤井 澄夫 ,  吉田 仁 ,  若林 大介 ,  後藤 浩嗣 ,  森井 誠
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-361124
公開番号（公開出願番号）：特開2005-127750
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】従来に比べて小型化が可能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】加速度を検出する半導体センサチップ1と、矩形板状の信号処理用ICチップ2と、矩形板状のパッケージチップ3とを備える。パッケージチップ3は、厚み方向の一面に半導体センサチップ1を収納する凹所3aが形成され、配線33が厚み方向に貫設されている。信号処理用ICチップ2とパッケージチップ3とは同じチップサイズとしてあり、信号処理用ICチップ2がパッド21の形成された主表面をパッケージチップ3の上記一面に対向させた形でパッケージチップ3に実装されている。半導体センサチップ1がパッド15の形成された主表面を信号処理用ICチップ2の主表面に対向させた形で信号処理用ICチップ2に実装されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

力学的物理量を検出する半導体センサチップと、半導体センサチップの出力信号を信号処理する信号処理用ICチップと、板状であって厚み方向の一面に半導体センサチップを収納する凹所が形成されたパッケージチップとを備え、信号処理用ICチップのチップサイズが凹所の開口面よりも大きく、信号処理用ICチップが当該信号処理用ICチップのパッドの形成された主表面をパッケージチップの前記一面に対向させた形でパッケージチップに実装されるとともに、半導体センサチップが当該半導体センサチップのパッドが形成された主表面を信号処理用ICチップの主表面に対向させた形で信号処理用ICチップに実装されてなることを特徴とする半導体センサ。

IPC (4件)：

G01P15/08 ,  G01P3/44 ,  H01L25/16 ,  H01L29/84

FI (5件)：

G01P15/08 P ,  G01P3/44 Z ,  H01L25/16 A ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 Z

Fターム (18件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA23 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA27 ,  4M112CA31 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112CA35 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体力学センサ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246357   出願人：日本電装株式会社

審査官引用 (4件)

• 特許第6630725号
  
• ウエハパッケージの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-222127   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク
• 光変調装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-165142   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液体吐出ヘッドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-079696   出願人：キヤノン株式会社