特許
J-GLOBAL ID：200903083573657363

半導体加速度センサ

発明者：
後藤 浩嗣

後藤 浩嗣 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099696
公開番号（公開出願番号）：特開2004-309188
出願日： 2003年04月02日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】パッケージサイズを大きくすることなく、センサに発生する残留応力を低減できる半導体加速度センサ、この半導体加速度センサに用いるセンサチップ及びパッケージを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体加速度センサは、センサチップ2と、凹部8を有したパッケージ3とを備え、パッケージ3の凹部8にセンサチップ2を収容した半導体加速度センサであって、センサチップ2の側部は、第1電極72を備えたフランジ部7を有し、パッケージ3に設けた凹部8の側部は、第2電極31を備えた段部9を有し、フランジ部7を段部9に載置するとともに、第1電極71と第2電極31との間の電気的接続を行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
センサチップと、凹部を有したパッケージとを備え、該パッケージの凹部に前記センサチップを収容した半導体加速度センサであって、 前記センサチップの側部は、第1電極を備えたフランジ部を有し、 前記パッケージに設けた前記凹部の側部は、第2電極を備えた段部を有し、 前記フランジ部を前記段部に載置するとともに、前記第1電極と前記第2電極との間の電気的接続を行うことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (3件)：
G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84
FI (3件)：
G01P15/08 P ,  G01P15/12 D ,  H01L29/84 A
Fターム (18件)：
4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA28 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112FA09 ,  4M112GA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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