特許
J-GLOBAL ID：200903012548568149
半導体製造装置およびウェハの静電吸着方法・除電方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-123985
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310945
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 ウェハを静電吸着及びウェハの除電が信頼性高く行える方法及び装置を提供する。【解決手段】 先端にウェハ6裏面の酸化膜を貫通できる曲率半径および硬度を有する導電性の蝕針を有するウェハ接触棒25および接地回路を有し、ウェハ処理前後のウェハの吸着及び除電時にウェハ接触棒25の先端をウェハ6の裏面酸化膜を突き破ってSiに直接接触させることにより、ウェハに電荷を供給してウェハを吸着し、ウェハに蓄積された電荷を放出してウェハを除電し、ウェハの電圧もしくはウェハ電流の少なくともどちらかを監視することにより、ウェハ吸着状態を判断する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空処理室内にプラズマを発生させるユニットと、前記真空処理室内に導入される半導体ウェハを保持するウェハステージと、前記ウェハステージに高周波電圧を印加する高周波電源と、前記半導体ウェハをウェハステージに静電吸着させるために直流電圧を印加する直流電源とを具備する半導体ウェハを処理する半導体製造装置において、
前記ウェハステージ内において前記半導体ウェハ裏面の電圧を測定するウェハ接触棒を備えることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/68 R
, H01L21/302 101G
5F004BB22
, 5F004CA05
, 5F004CB06
, 5F031CA02
, 5F031HA16
, 5F031HA19
, 5F031HA35
, 5F031JA45
, 5F031JA51
, 5F031MA28
, 5F031MA32
