半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139358
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】浅い不純物拡散層上に形成された、金属シリサイド層上に開口した接続孔底部の自然酸化膜を、素子領域にダメージを与えることなく除去する。【解決手段】接続孔10底部に露出した金属シリサイド層8表面の自然酸化膜を、高密度かつ低入射イオンエネルギの条件でスパッタエッチングする。このとき、基板加熱を併用してもよい。【効果】接続孔10側面がスパッタされて接続孔10底部に再堆積することがない。この結果、低入射イオンエネルギではあるが、高密度のイオン入射により、自然酸化膜は効率的に除去される。基板加熱を併用すればAr等の入射イオンが金属シリサイド層8に取り込まれることもない。このため、低抵抗のオーミックコンタクが形成できる。

請求項（抜粋）：

導電材料層上に形成された層間絶縁膜に、前記導電材料層に臨む接続孔を開口する工程、前記接続孔底部に露出した、前記導電材料層表面の自然酸化膜を除去する工程、すくなくとも前記接続孔内部に、コンタクトプラグおよび上層配線のうちのいずれか一方を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記自然酸化膜の除去工程は、前記自然酸化膜はスパッタリング除去される入射イオンエネルギ強度以上であるとともに、前記接続孔側面がスパッタリングされて前記接続孔底部に露出した前記導電材料層表面に再付着する入射イオンエネルギ強度未満の入射イオンエネルギを採用したスパッタエッチング工程であり、前記自然酸化膜の除去工程後、前記接続孔底部に露出した前記導電材料層表面を酸化性雰囲気に曝すことなく、連続的に前記コンタクトプラグおよび前記上層配線のうちのいずれか一方を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/28 301 T , C23F 4/00 C , H01L 21/302 C , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-024918
特開平4-129217
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-311435 出願人：日本電気株式会社

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