特許
J-GLOBAL ID：200903012646864686

分離可能な基板の形成方法

発明者：
トーザン, オーレリー

トーザン, オーレリー について

, 
ラガー-ブランシャール, クリステル

ラガー-ブランシャール, クリステル について


出願人/特許権者：
コミッサリア タ レネルジー アトミーク

コミッサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-542072
公開番号（公開出願番号）：特表2008-522398
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
本発明は、初期結晶性基板(1)の表面に成長マスク(20)を製造する方法に関し、本方法は、第一の材料からなる初期基板(1)の一方の側に第二の材料からなる層(2)を形成する工程、及び前記初期基板の表面領域を露出するため、第二の材料の層の厚さ内にパターンを形成することにより、前記初期基板の一方の側の領域を露出させ、前記領域を初期基板上の成長窓とする工程を含む。前記方法は、パターン形成が、第二の材料からなる層の下方に位置する初期基板(1)の表面層へのイオン注入によって行われ、この注入条件として、注入直後又は熱処理を行なった後で、前記初期基板の一方の側に、第一の材料が剥離された領域(5)ができることにより、第一の材料の剥離領域(5)を覆う第二の材料の領域が部分的に除去され、これによって初期基板(1)が部分的に露出し、初期基板上に成長窓(6)が形成されるような条件を用いることを特徴とする。本発明はまた、薄い結晶性の層を形成して受容基板上に移転する方法に関する。
請求項（抜粋）：
初期結晶性基板(1)の表面上に成長マスク(20)を形成する方法であって、 -第一の材料からなる初期基板(1)の一方の面の上に、第二の材料からなる層(2)を形成する工程、 -第二の材料からなる層(2)の厚さ内にパターンを形成することにより前記初期基板の面の上の領域を露出させ、よって前記領域を初期基板上における成長窓とする工程 を有し、 パターンの形成を、第二の材料からなる層(2)の下方に位置する初期基板(1)の表面層にイオン注入を行なうことによって行い、このときの注入条件として、注入直後又は熱処理後に、前記初期基板の面の上に第一の材料の剥離領域(5)が出現することにより、第一の材料からなる剥離領域(5)を覆う第二の材料からなる領域が局所的に除去され、よって初期基板(1)が局所的に露出し、初期基板上に成長窓(6)が形成されるような条件を用いることを特徴とする、マスク形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/208 D ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20
Fターム (24件)：
5F053AA03 ,  5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053PP06 ,  5F053RR05 ,  5F152LL13 ,  5F152LM02 ,  5F152LM04 ,  5F152LM05 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152LP09 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN11 ,  5F152NN27 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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