基板から分離された窒化ガリウムの膜をエピタキシーにより製造する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝 , 高村雅晴
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-508396
公開番号（公開出願番号）：特表2005-527978
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、GaNのエピタキシャル付着により窒化ガリウム(GaN)膜を製造するための方法に関する。本発明は、それが少くとも1ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがGaN基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からGaN層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。

請求項（抜粋）：

エピタキシーによるGaNの付着により、基板を用いて窒化ガリウム(GaN)の膜を製造する方法であって、GaNの付着が少くとも1ステップのエピタキシャル横方向成長(ELO)を含んでなり、かつ、直接的にGaNの層でイオン注入により弱化させることにより基板からGaNの層の一部を分離させるステップを含んでなる方法。

IPC (5件)：

H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01S5/323

FI (5件)：

H01L21/20 , C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L21/265 601Q , H01S5/323 610

Fターム (41件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077CF01 , 4G077DA02 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077QA01 , 4G077QA27 , 4G077QA43 , 4G077QA71 , 4G077TB02 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TK11 , 5F045AA04 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045HA15 , 5F052JA07 , 5F052JA08 , 5F052KA01 , 5F052KA06 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP03 , 5F173AP05 , 5F173AP19 , 5F173AP54 , 5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (3件)

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052573 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-143826 出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
液相成長法、半導体部材の製造方法、太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-265673 出願人：キヤノン株式会社

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