特許
J-GLOBAL ID：200903012691725557
熱処理方法および半導体単結晶基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246202
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 熱処理時に半導体単結晶基板の到達する温度を一定とし、熱処理する半導体単結晶基板の結晶品質を一定にすることができるようにした熱処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体単結晶基板の少なくとも裏面側を直接的に輻射加熱することにより熱処理する方法において、半導体単結晶基板裏面の反射率に応じて加熱出力を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板の少なくとも裏面側を直接的に輻射加熱することにより熱処理する方法において、半導体単結晶基板裏面の反射率に応じて加熱出力を制御することを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/26 L
, H01L 21/205
