特許
J-GLOBAL ID：200903012726530711
金属間化合物の成長を抑制したはんだバンプが形成された半導体チップ及びはんだバンプの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤田 和子
, 新山 雄一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-552208
公開番号（公開出願番号）：特表2009-524928
出願日： 2006年11月01日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】はんだバンプが形成された半導体チップ及び製造方法を提供する。【解決手段】はんだバンプが形成された半導体チップは、半導体チップ100の電極パッド110上に形成された一つ以上の金属接着層220、230と、金属接着層220、230上に形成された層間分離膜240と、層間分離膜240上に形成されて、はんだバンプに浸透する一つ以上の浸透層250と、浸透層に形成されたはんだバンプ300とを含む。浸透層250の物質がはんだバンプ300内に流入することで、はんだバンプ300を多成分系に変化させて、IMCの成長を抑制して、信頼性を高めることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極パッド上に形成された少なくとも一つの金属接着層と、前記金属接着層上に形成された層間分離膜と、前記層間分離膜上に形成されて、はんだバンプに浸透する少なくとも一つの浸透層と、前記浸透層上に形成されたはんだバンプとを含むことを特徴とするはんだバンプが形成された半導体チップ。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/92 602H
, H01L21/92 603D
, H01L21/92 604M
, H01L21/92 603A
