特許
J-GLOBAL ID：200903092156571196
無鉛ソルダバンプの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-356862
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207685
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 ソルダのリフロー時に銅がソルダに拡散されることによって、1元界または2元界のすずめっきだけでも2元界または3元界の無鉛ソルダバンプを容易に製造することができ、工程コストが低くて、めっきの管理が容易な無鉛ソルダバンプの製造方法。【解決手段】 無鉛ソルダバンプの製造方法において、電極パッド12が開放された保護層14を有するウェーハ10を提供する段階と;前記ウェーハ上に金属基底層20を形成する段階と;前記電極パッドに対応する部分を除いた前記金属基底層上にフォトレジスト30をリソグラフィーする段階と;前記電極パッドに対応する金属基底層上に銅層を形成する段階と;前記銅層上にソルダをめっきする段階と;前記フォトレジストを除去する段階と;前記ソルダをマスクと利用して、前記金属基底層をエッチングする一方、前記ソルダをリフローしてソルダバンプを製造する段階と;を含むことを特徴とする無鉛ソルダバンプの製造方法。【選択図】 図1C
請求項（抜粋）：
無鉛ソルダバンプの製造方法において、
電極パッドが開放された保護層を有するウェーハを提供する段階と、
前記ウェーハ上に金属基底層を形成する段階と、
前記電極パッドに対応する部分を除いた前記金属基底層上にフォトレジストをリソグラフィーする段階と、
前記電極パッドに対応する金属基底層上に銅層を形成する段階と、
前記銅層上にソルダをめっきする段階と、
前記フォトレジストを除去する段階と、
前記ソルダをマスクと利用して、前記金属基底層をエッチングする一方、前記ソルダをリフローしてソルダバンプを製造する段階と、を含むことを特徴とする、無鉛ソルダバンプの製造方法。
IPC (1件)：
FI (6件)：
H01L21/92 602D
, H01L21/92 602H
, H01L21/92 603A
, H01L21/92 603B
, H01L21/92 603D
, H01L21/92 604B
