特許
J-GLOBAL ID：200903025407969810

半導体装置

発明者：
民田 浩靖

民田 浩靖 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150712
公開番号（公開出願番号）：特開2005-333007
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 半田ボールと導電膜との間で界面破断が生じないで高信頼性を維持することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 最上層配線101と、最上層配線101上に設けられ、最上層配線101に到達するパッドビア104の設けられた絶縁膜と、パッドビア104の底部において最上層配線101に接続されるとともに、パッドビア104の底部からパッドビア104の外部にわたって形成された導電膜とを含み、前記導電膜および前記絶縁膜に接して設けられた半田ボール108と、半田ボール108に含まれる金属元素と前記導電膜に含まれる金属元素とを含む合金層110が介在し、半田ボール108が、合金層110を覆うように形成されることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極上に導電膜を介して半田ボールが具備されてなる半導体装置において、 前記導電膜と前記半田ボールとの間に、前記半田ボールに含まれる金属元素と前記導電膜に含まれる金属元素とを含む合金層が形成されており、 前記半田ボールが前記合金層を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L21/60
FI (3件)：
H01L21/92 602H ,  H01L21/92 603E ,  H01L21/92 603G
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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