絶縁ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本孝久 , 吉井正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132364
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218962
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】ゲート電極の上方にコンタクトプラグを形成するときに、ゲート絶縁膜やゲート電極を構成する材料がエッチングされることが無く、高い信頼性を有するゲート電極を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタは、ソース/ドレイン領域13及びチャネル形成領域12、ゲート電極23、並びに、ゲート絶縁膜30を備えており、ゲート絶縁膜30は、ゲート電極23とチャネル形成領域12との間に形成されたゲート絶縁膜本体部30A、及び、ゲート絶縁膜本体部30Aからゲート電極23の側面部23Aの途中まで延在するゲート絶縁膜延在部30Bから構成されており、チャネル形成領域12の表面を基準としたゲート電極23の高さをHGate、ゲート絶縁膜延在部30Aの高さをHInsとしたとき、HIns<HGateを満足する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

(A)ソース/ドレイン領域及びチャネル形成領域、 (B)チャネル形成領域の上方に形成されたゲート電極、並びに、 (C)ゲート絶縁膜、を備えた絶縁ゲート電界効果トランジスタであって、ゲート絶縁膜は、ゲート電極とチャネル形成領域との間に形成されたゲート絶縁膜本体部、及び、ゲート絶縁膜本体部からゲート電極の側面部の途中まで延在するゲート絶縁膜延在部から構成されており、チャネル形成領域表面を基準としたときの、ゲート電極の高さをHGate、ゲート絶縁膜延在部の高さをHInsとすると、HIns<HGateを満足することを特徴とする絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (7件)：

H01L29/78 301G , H01L29/58 G , H01L21/28 301R , H01L21/28 301S , H01L29/78 301P , H01L27/08 321D , H01L21/90 B

Fターム (145件)：

4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104BB24 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD03 , 4M104DD05 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF06 , 4M104FF14 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F033HH05 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH26 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK05 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM18 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ39 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS08 , 5F033SS12 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB15 , 5F048BD01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048DA30 , 5F140AA01 , 5F140AA21 , 5F140AA26 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BF40 , 5F140BF42 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG04 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BG45 , 5F140BG46 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-042056 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-135236 出願人：三菱電機株式会社
半導体素子のトランジスタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-435782 出願人：ドンブエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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