特許

J-GLOBAL ID：200903012761719614

酸化インジウム-酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法

発明者： 林 博 光 ,  尾 野 直 紀 ,  行 政 敏 秋 ,  古 賀 陽 一 ,  瀬 戸 康 博
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265317
公開番号（公開出願番号）：特開平9-111444
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 大型サイズの焼結体を作製した場合でも相対密度90%以上の高密度のものが得られ、かつ焼結体の周辺部と中央部の色むらの発生を抑制した酸化インジウム-酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】 酸化亜鉛粉末を400°C〜800°Cで仮焼し、この仮焼した酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末とを混合し、次いでこの混合粉末をプレス成形後1200°C〜1400°Cで焼結する酸化インジウム-酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法。仮焼後の酸化亜鉛粉末のBET表面積を0.2〜4.0m2 /gとする。焼結工程において焼結温度にまで昇温する速度を350°C/時以上とする。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛粉末を400°C〜800°Cで仮焼し、この仮焼した酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末とを混合し、次いでこの混合粉末をプレス成形後1200°C〜1400°Cで焼結することを特徴とする、酸化インジウム-酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/453 ,  C23C 14/08

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/08 C ,  C04B 35/00 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

• スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259904   出願人：三菱マテリアル株式会社
• ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315084   出願人：出光興産株式会社
• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315075   出願人：出光興産株式会社
• 酸化亜鉛系焼結体及びその製造方法並びに用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-099816   出願人：東ソー株式会社