特許
J-GLOBAL ID:200903012768431330
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-196093
公開番号(公開出願番号):特開2004-091919
出願日: 2003年07月11日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】成膜速度を正確に測定して均一な膜厚分布の有機薄膜を形成しうる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、真空槽2と、蒸発源3とを有する。蒸発源3の待機位置の上方には膜厚センサ50が設けられている。蒸発源3が待機位置に位置している状熊で膜厚センサ50によって蒸着材料40の成膜速度を検出し、所定の値になった時点で蒸発源3を成膜位置に向って移動させ、蒸発源3のヒータ31、32によって蒸着材料40の温度を制御することによって基板5上に薄膜を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
所定の成膜対象物に対して薄膜を形成するための真空槽と、
所定の蒸発材料の蒸気が通過する細長形状の蒸発口を有し、前記真空槽内において前記成膜対象物に対して前記蒸発口の幅方向へ相対的に移動するように配設された蒸発源と、
前記蒸発源を、前記成膜対象物に対して所定の待機位置と成膜位置との間で相対的に移動させる移動機構とを有することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (4件):
C23C14/24
, H01L21/203
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (4件):
C23C14/24 C
, H01L21/203 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
Fターム (19件):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029BA62
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB06
, 4K029DB11
, 4K029EA01
, 4K029EA02
, 5F103AA01
, 5F103BB02
, 5F103BB13
, 5F103BB19
, 5F103DD25
, 5F103LL02
, 5F103NN02
, 5F103RR04
, 5F103RR10
引用特許:
審査官引用 (3件)
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成膜装置およびそのクリーニング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-128812
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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熱物理蒸着源
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-058355
出願人:イーストマンコダックカンパニー
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蒸着装置及び蒸着方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-254123
出願人:シャープ株式会社
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