特許
J-GLOBAL ID：200903012783688631
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100756
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】本発明は、紫外線硬化型テープ( 以下、UVテープという。) を用いた基板のダイシング方法に関し、ダイシング後第1の紫外線を照射してUVテープの接着度を低め、その後切断された小片をUVテープから剥離する工程において、剥離時小片が破損等することのないようにUVテープの適正な接着度を得ることを目的とする。【解決手段】基板裏面にUVテープを貼付する前に、酸素を含む雰囲気中で該裏面にエキシマランプ等で第2の紫外線を照射する工程を設け、その後UVテープを貼付し、ダイシングし、第1の紫外線を照射し、小片を剥離する工程とする。
請求項（抜粋）：
酸素を含む雰囲気中で基板の裏面に第1の紫外線を照射する工程と、次いで該基板裏面に紫外線硬化型テープを貼付する工程と、該基板をダイシングして小片にする工程と、該基板裏面にテープ硬化用の第2の紫外線を照射する工程と、該小片を該紫外線硬化型テープから剥離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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