位置ずれ検査方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077302
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィ工程における位置ずれを正確に検査するための位置ずれ検査パターンを提供する。【解決手段】位置ずれパターンは、ウエハーの露光領域の端部に配置されており、下地に形成される主尺パターン10a、10b、10cと、被加工膜32の上部に形成されるレジストパターンから成る副尺パターン10a、10b、10cとによって構成される。主尺パターン10及び副尺パターン20は、何れも、等幅で等間隔に配置される3本以上の細線で構成される。主尺パターン10と副尺パターン20の間の距離d1、d2の計測には、対物レンズの収差の影響が最も低い、良好な形状の中央の細線10b、20bが利用される。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ工程に際して下地パターンとレジストパターンとの位置ずれの有無を検査するための位置ずれ検査パターンにおいて、下地パターンを構成する主尺パターン及び該主尺パターンの上層に形成される副尺パターンの少なくとも一方を、所定の間隔を隔てて順次に配置される3又はそれ以上のラインパターンによって構成したことを特徴とする位置ずれ検査パターン。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 502 M , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 V , H01L 21/30 522 Z

Fターム (13件)：

5F046DA13 , 5F046DA14 , 5F046DB05 , 5F046DC14 , 5F046EA04 , 5F046EA09 , 5F046EB01 , 5F046EB05 , 5F046EC05 , 5F046FA11 , 5F046FA20 , 5F046FB08 , 5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-159753 出願人：キヤノン株式会社
アライメント・マークの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-035947 出願人：富士通株式会社
特開平4-024913

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