基板処理方法、加熱処理装置、パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134674
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】PEB処理におけるレジスト膜への酸への再付着を抑制すること。【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対してエネルギー線を照射して、潜像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対して加熱処理を行う工程とを含み、前記加熱処理は、前記化学増幅型レジスト膜を加熱する加熱部と前記基板とを相対的に移動させつつ、前記加熱部下面と前記化学増幅型レジスト膜との間に前記加熱部の相対的な移動方向に対して逆方向に流れる気流を形成して行う。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対してエネルギー線を照射して、潜像を形成する工程と、前記化学増幅型レジスト膜に対して加熱処理を行う工程とを含み、前記加熱処理は、前記化学増幅型レジスト膜を加熱する加熱部と前記基板とを相対的に移動させつつ、前記加熱部下面と前記化学増幅型レジスト膜との間に前記加熱部の相対的な移動方向に対して逆方向に流れる気流を形成して行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G03F7/38

FI (4件)：

H01L21/30 568 , G03F7/38 501 , G03F7/38 511 , H01L21/30 567

Fターム (8件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096FA01 , 2H096FA03 , 5F046KA02 , 5F046KA04 , 5F046KA10

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-038817
加熱処理装置及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-368267 出願人：株式会社東芝
電子線直描方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-357784 出願人：日本電気株式会社

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