アクティブマトリクス型表示装置

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-249149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127306
出願日： 1994年11月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【構成】ガラス基板の上に形成された窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜の上方に形成された活性層と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層の上に形成されたゲート電極と、前記活性層に接続されたソース電極と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜の上に形成され、前記活性層に接続された画素電極と、を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の上に形成された窒化珪素膜と、前記窒化珪素膜の上方に形成された活性層と、ゲート絶縁膜を介して前記活性層の上に形成されたゲート電極と、前記活性層に接続されたソース電極と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜と、前記ソース電極の上に形成された窒化珪素膜の上に形成され、前記活性層に接続された画素電極と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (5件)：

G09F 9/30 338 , H01L 21/20 , H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-315475 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078999 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-293726

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