特許
J-GLOBAL ID：200903012928501659

エッチング方法及びエッチング装置

発明者：
一木 克則

一木 克則 について

, 
山内 和雄

山内 和雄 について

, 
檜山 浩国

檜山 浩国 について

, 
寒川 誠二

寒川 誠二 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について

, 
東北大学長

東北大学長 について


代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-353809
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158099
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。【解決手段】 所定のガスから、コリメートされた10eV以上50eV以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理層60に照射して、被処理層60の表面をエッチングする第1の工程と、被処理層60の側壁を中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜80を被処理層60の側壁に形成する第2の工程とを有する。
請求項（抜粋）：
所定のガスから、コリメートされた10eV以上50eV以下の中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを被処理物に照射して該被処理物の被処理層の表面をエッチングする第1の工程と、前記被処理層の側壁を前記中性粒子ビームによる侵食から保護する保護膜を前記被処理層の側壁に形成する第2の工程とを有することを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L 21/28 F ,  H01L 21/302
Fターム (11件)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD67 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB12 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM