特許
J-GLOBAL ID：200903012938352767
活性スラリによるCMPシステムおよびCMPシステムの実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-534039
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511109
出願日： 2001年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【解決手段】化学機械平坦化(CMP)システム(200a)において、ウェハの上層の物質を除去する速度を促進するための方法が開示されている。この方法は、スラリ(218)がウェハ(202)の上層に投与される前にスラリ(218)に放射線をあてることを含む。一実施例によれば、その方法には、研磨パッド(208)とウェハ(202)を保持するキャリアヘッドを備えることも含まれる。この方法はさらに、研磨パッド(208)とキャリアヘッドを接触させることによって、研磨パッド(208)、ウェハの上層および被放射スラリ(218)間の機械的研磨界面を作り出すことを含む。【選択図】図3B-1
請求項（抜粋）：
化学機械平坦化(CMP)装置であって
スラリ薬剤を受ける研磨パッドと、
金属表層を有するウェハを保持するキャリアヘッドと、そのキャリアヘッドと前記研磨パッドとは、前記スラリ薬剤を用いて前記金属表層を研磨する間、機械的に接触し、
前記ウェハの前記金属表層と前記研磨パッドとが前記機械的に接触する直前に、前記スラリ薬剤を放射線にさらすために、スラリが供給される位置の後ろで且つパッドがウェハの下に入る位置よりも前で前記研磨パッド上に適用される放射ユニットと
を備える化学機械平坦化(CMP)装置。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B24B1/00
, B24B37/02
H01L21/304 622X
, H01L21/304 622N
, B24B1/00 A
, B24B37/02 Z
3C049AA07
, 3C049AC01
, 3C049CB01
, 3C049CB03
, 3C058AA07
, 3C058AC01
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA17
