ショットキーダイオード付きトランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005271
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221218
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】逆方向回復時間の短いトランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタのドレイン領域14を構成する第1導電型の単結晶層12の一部を整流領域13とし、整流領域13とショットキー接合を形成するショットキー電極45を配置し、ベース拡散領域15aとドレイン領域14の間のpn接合とショットキー接合を並列接続させる。pn接合は、ショットキー接合の低い順方向導通電圧でクランプされ、電流は流れない。整流領域13は、第2導電型の逆阻止領域33bによって挟まれており、ショットキー接合が逆バイアスされる場合は、逆阻止領域33bと整流領域13の間のpn接合が逆バイアスされ、ショットキー接合がpn接合の空乏層で覆われるので、逆方向の耐圧が高くなる。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

第1導電型の単結晶層を有する半導体装置であって、前記単結晶層の内部の表面側に形成された第2導電型のベース拡散領域と、前記単結晶層のベース拡散領域の底面よりも深い部分であるドレイン領域と、前記ベース拡散領域の内部の表面側に形成され、前記ベース拡散領域によって前記ドレイン領域とは絶縁された第1導電型のソース拡散領域と、前記単結晶層に、前記ベース拡散領域の深さよりも深く形成された溝であって、前記ソース拡散領域と、前記ソース拡散領域と前記ドレイン領域との間に位置するベース領域と、前記ドレイン領域に接触する位置に配置されたゲート溝と、前記ゲート溝内部の側面に位置し、上部が前記ソース拡散領域と接触し、下部が前記ドレイン領域と接触し、中間部が前記ベース領域と接触して配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート溝の内部に位置し、前記ソース領域から前記ドレイン領域の範囲に亘って、前記ゲート絶縁膜と接触して配置されたゲート電極プラグとを有し、前記ゲート電極プラグに電圧を印加し、前記ベース拡散領域の前記ゲート絶縁膜と接触する部分に反転層を形成すると、前記ソース拡散領域と前記ドレイン領域とが前記反転層で接続されるように構成されたトランジスタと、前記単結晶層の表面を含む第1導電型の領域の一部を整流領域としたときに、前記整流領域の表面には前記整流領域とショットキー接合を形成するショットキー電極膜が配置され、前記単結晶層には逆阻止溝が形成され、前記整流領域は、逆阻止溝と逆阻止溝とで挟まれ、前記各逆阻止溝の内部には、第2導電型の半導体材料から成り、前記整流領域とpn接合を形成する逆阻止領域が配置され、前記逆阻止領域は前記ショットキー電極膜に接続されたショットキーダイオードとを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/872

FI (7件)：

H01L29/78 657A , H01L29/78 652G , H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/48 F , H01L29/78 658E

Fターム (6件)：

4M104BB01 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG19

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-179014 出願人：株式会社東芝
トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-055387 出願人：新電元工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-398857 出願人：株式会社東芝

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