特許
J-GLOBAL ID:200903012960540739

太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-307150
公開番号(公開出願番号):特開2001-127317
出願日: 1999年10月28日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 電極の焼成条件を緩めると電極の接着強度が低下し、高効率の太陽電池が得られないという問題があった。【解決手段】 p型半導体基板の一主面側にn+拡散層を設けるとともに、他の主面側にp+層を設け、このn+拡散層とp+層にガラスフリットを含有する電極ペーストを塗布して焼き付ける太陽電池の製造方法であって、上記n+拡散層側電極ペースト中のガラスフリットとして低軟化点ガラスフリットと高軟化点ガラスフリットを混合して用いる。
請求項(抜粋):
p型半導体基板の一主面側にn+拡散層を設けるとともに、他の主面側にp+層を設け、このn+拡散層とp+層にガラスフリットを含有する電極ペーストを塗布して焼き付ける太陽電池の製造方法において、前記n+拡散層側電極ペースト中のガラスフリッとして低軟化点ガラスフリットと高軟化点ガラスフリットを混合して用いることを特徴とする太陽電池の製造方法。
Fターム (11件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051CB03 ,  5F051CB05 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA30 ,  5F051HA03
引用特許:
審査官引用 (7件)
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