特許
J-GLOBAL ID：200903012986731389

半導体ウェハの保持及び保護装置並びに方法

発明者：
マツーニ、ヨーゼフ

マツーニ、ヨーゼフ について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-531492
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508837
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：
【要約】この発明によれば、物体の保持及び保護装置は、ベースと、このベースに配置され外側領域と内側領域とを画定する壁部と、この外側領域への少なくとも1つの導入部と、この内側領域への少なくとも1つの導入部と、外側領域に(導入部を介して)周囲圧に対して過圧を作るための手段とを備える。この発明による装置により、いわゆる「ベルヌーイ効果」により保持することのできないような小さな周囲圧(<30トル)の場合でも適用できる保持構成が提供される。特に真空プロセス中にシリコン円板の裏面が接触される必要のない保持構造が提供される。
請求項（抜粋）：
ベース(11)と、このベース(11)に配置され外側領域(14)と内側領域(15)とを画定する壁部(12、13)と、この外側領域(14)への少なくとも1つの導入部(16、42)と、この内側領域(15)への少なくとも1つの導入部(17)と、外側領域(14)に周囲圧に対して過圧を作るための手段(44)とが設けられていることを特徴とする物体の保持及び保護装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  B25J 15/06
FI (2件)：
H01L 21/68 C ,  B25J 15/06 Z
引用特許：
審査官引用 (8件)
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