半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048106
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250491
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、酸化膜上に部分的に堆積した薄膜の端部における酸化膜の損傷を回復させる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】酸化膜中の損傷を回復させるために、損傷を受けたプロセス後に、酸化膜表面を極力露出させた状態で、少なくても800°C以上好ましくは950°C以上の温度で、5分以上できれば20分以上窒素、水素、若しくはアルゴン等の不活性ガスまたはこれらの混合ガスで或いはこれらに数%程度酸素が含まれた混合ガス雰囲気で熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

熱酸化膜を形成した後、酸化膜或いはシリコン基板表面が露出した状態で、少なくとも800°C以上の温度において5分以上熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 21/76 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 S , H01L 21/318 B , H01L 21/324 Z , H01L 21/76 M , H01L 21/94 A , H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-211759
特開平2-130963
特開平1-258431

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