特許
J-GLOBAL ID：200903013034617945

半導体装置およびその製造方法

発明者：
東田 敬行

東田 敬行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231902
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 下部電極膜、強誘電体膜および上部電極膜からなるキャパシタを有する半導体装置において、強誘電体電気的特性を維持しつつ膜間剥がれ現象を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体膜および/または下部電極膜の表面に凸部または凹部領域を形成する。そして、下部電極上に形成した凸部又は凹部領域を強誘電体が安全に覆い、強誘電上に存在する凸部又は凹部領域を上部電極が安全に覆う構造とする。こゝで強誘電体上の凸部又は凹部の高さ又は深さは、この強誘電体膜の膜厚の半分以下とし、且つ上部電極膜の膜厚以下からその膜厚の半分の範囲に入る様に調整する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極膜と強誘電体膜と上部電極膜からなるキャパシタを有する半導体装置において、該強誘電体膜の上側の表面に凸部または凹部領域を有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (14件)：
5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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