特許
J-GLOBAL ID：200903013059494830

ヒータ及び半導体製造装置

発明者：
小高 文雄

小高 文雄 について

, 
高橋 佳智

高橋 佳智 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316971
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124364
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 欠け等のチッピングの発生が無く、均一な導電性・体積抵抗率を有するヒータの提供。【解決手段】 1対の電極と、該1対の電極からの通電により加熱される加熱体と、を有し、該1対の電極が、炭化ケイ素焼結体を介して前記加熱体に接合されたことを特徴とするヒータである。接合が、加熱体と1対の電極との間隙に炭化ケイ素粉末を含有するペーストを充填し焼結して行われる態様、炭化ケイ素粉末が、少なくとも1種以上のケイ素化合物を含むケイ素源と、少なくとも1種以上の加熱により炭素を生成する有機化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒と、を溶媒中で溶解し焼成して得られた態様、加熱体が、炭化ケイ素焼結体で形成された態様、1対の電極が、炭化ケイ素焼結体で形成された態様等が好ましい。
請求項（抜粋）：
1対の電極と、該1対の電極からの通電により加熱される加熱体と、を有し、該1対の電極が、炭化ケイ素焼結体を介して前記加熱体に接合されたことを特徴とするヒータ。
IPC (5件)：
H05B 3/03 ,  C04B 35/565 ,  H01L 21/205 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/68
FI (5件)：
H05B 3/03 ,  H01L 21/205 ,  H05B 3/14 C ,  H05B 3/68 ,  C04B 35/56 101 H
Fターム (18件)：
3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QC16 ,  3K092QC18 ,  3K092VV31 ,  4G001BA22 ,  4G001BA62 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BB60 ,  4G001BC33 ,  4G001BC47 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BD21 ,  5F045BB14 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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