特許
J-GLOBAL ID:200903013086313898
積層セラミック電子部品の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-125806
公開番号(公開出願番号):特開2000-315618
出願日: 1999年05月06日
公開日(公表日): 2000年11月14日
要約:
【要約】【課題】 構造欠陥のない積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】 ベースフィルム11a上にセラミックシート12を形成するとともに、ベースフィルム11b上に導電体層13をそれぞれ形成し、次にセラミックシート12の表面と導電体層13の表面が直接接触するように配置し、導電体層付きセラミックシート14を得、この導電体層付きセラミックシート14を所定の期間放置した後に、ベースフィルム11bを除去して導電体層付きセラミックシート14を積層して積層体を得、その積層体を焼成し、外部電極を形成する。
請求項(抜粋):
第1のベースフィルム上にセラミック成分と少なくとも1種類以上の有機物からなる第1のベースフィルム付きセラミックシートを形成する第1の工程と、第2のベースフィルム上に金属成分と少なくとも1種類以上の有機物からなる第2のベースフィルム付き導電体層を形成する第2の工程と、前記第1のベースフィルム付きセラミックシートと前記第2のベースフィルム付き導電体層を前記セラミックシートと前記導電体層とが直接接触するように重ね合わせて前記第1及び第2のベースフィルムを介して加圧して導電体層付きセラミックシートを得る第3の工程と、この第1及び第2のベースフィルムに挟まれた導電体層付きセラミックシートの前記第1あるいは第2のベースフィルムの一方を除去する第4の工程と、この第1あるいは第2のベースフィルム上の導電体層付きセラミックシートと別の導電体層付きセラミックシートとを前記導電体層がセラミックシートを介して対向するように圧着した後前記第1あるいは第2のベースフィルムの他方を除去する第4の工程と、この第4の工程を所望の回数繰り返して積層体を得る第5の工程と、前記積層体を焼成する第6の工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件):
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311
FI (2件):
H01G 4/12 364
, H01G 4/30 311 F
Fターム (32件):
5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AF06
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH06
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082JJ03
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082LL03
, 5E082LL35
, 5E082MM22
, 5E082MM24
, 5E082PP06
, 5E082PP08
, 5E082PP09
引用特許: