ダイオードおよびその駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319423
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163469
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】低いオン抵抗およびソフトリカバリを同時に実現できる電力用ダイオードを提供すること。【解決手段】N- 型ベース層1の表面にP型エミッタ層2、裏面にN+ 型エミッタ層を形成し、さらにP型エミッタ層2の表面にN- 型ベース層1に達する深さのトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝内にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4を埋め込み形成する。

請求項（抜粋）：

第1主面および第2主面を有する高抵抗の第1導電型のベース層と、このベース層の前記第1主面の表面に形成された第2導電型のエミッタ層と、前記ベース層の第2主面の表面に形成された第1導電型のエミッタ層と、これら2つのエミッタ層の少なくとも一方に形成された、前記ベース層に達する深さの複数の溝内の各々に、ゲート絶縁膜を介して埋め込み形成されたゲート電極とを具備してなることを特徴とするダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/68 , H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/68 , H01L 29/91 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

絶縁ゲート型サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213226 出願人：株式会社東芝
特開昭63-174373
特開昭63-155768

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審査官引用 (5件)

絶縁ゲート型サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-213226 出願人：株式会社東芝
特開昭63-174373
特開昭63-155768

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