特許
J-GLOBAL ID:200903013107197176

酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河備 健二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-251326
公開番号(公開出願番号):特開2003-055049
出願日: 2001年08月22日
公開日(公表日): 2003年02月26日
要約:
【要約】【課題】 太陽電池や液晶表示素子などの透明導電膜の材料として広範に使用でき、長時間電力を投入してスパッタリングした場合でも、アーキングが発生せず膜の特性が劣化しにくく、かつ最後まで使い切ることのできる酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】 実質的に酸化インジウム及びゲルマニウムからなる焼結体であって、相対密度が97%以上であり、かつ表面粗さ(Rmax)が3.0μm以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体によって提供。
請求項(抜粋):
実質的に酸化インジウム及びゲルマニウムからなる焼結体であって、相対密度が97%以上であり、かつ表面粗さ(Rmax)が3.0μm以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体。
IPC (2件):
C04B 35/495 ,  C23C 14/34
FI (2件):
C23C 14/34 A ,  C04B 35/00 J
Fターム (9件):
4G030AA34 ,  4G030AA38 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA25 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
引用特許:
審査官引用 (4件)
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