特許
J-GLOBAL ID：200903013158057670

薄膜磁気ヘッド

発明者：
ラシド シビア

ラシド シビア について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149844
公開番号（公開出願番号）：特開2004-355682
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】磁気抵抗変化率が向上された薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜磁気ヘッド10は、反強磁性層32、ピンド層42、フリー層46、及び、ピンド層とフリー層との間に設けられた非磁性層45を備える。また、フリー層46の厚さ方向にセンス電流が流されるCPP型のヘッドである。そして、ピンド層42は、Cuで形成された第1層36と、Cuで形成され、第1層よりもフリー層側に配された第2層38と、第1層と第2層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層37とを有する積層部40を含んでいる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、 前記反強磁性層と交換結合して磁化の向きが固定されたピンド層と、 外部磁界に応じて磁化の向きが変化するフリー層と、 前記ピンド層と前記フリー層との間に設けられた非磁性層と、を備え、 前記フリー層の厚さ方向にセンス電流が流され、 前記ピンド層は、 Cuで形成された第1層と、 Cuで形成され、前記第1層よりも前記フリー層側に配された第2層と、 前記第1層と前記第2層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層とを有する積層部を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (1件)：
G11B5/39
FI (1件)：
G11B5/39
Fターム (7件)：
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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