特許
J-GLOBAL ID：200903026036206076
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-340637
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150512
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 GMR素子のCPP構成において、感度の向上を図る。【解決手段】 少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する自由層1と、固定層3と、この固定層3の磁化を固定する反強磁性層4と、自由層1と固定層3との間に介在される非磁性層2とが積層されたスピンバルブ構成による積層構造部10を有し、この積層構造部10に対し、そのほぼ積層方向、すなわち面方向と交叉例えば直交する方向をセンス電流の通電方向とし、その自由層1もしくは固定層3の少なくともいずれかを、膜厚1.9nm以下の薄膜層によって分断して複数の異相界面が形成された多層膜形態とすることによって伝導電子のスピン依存性散乱を高めれ感度の向上を図る。
請求項（抜粋）：
少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と上記固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする磁気抵抗効果素子であって、上記自由層が、膜厚方向に、膜厚が1.9nm以下の薄膜層によって分断された多層膜形態として複数の異相界面が形成されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/26
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AC01
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049DB12
, 5E049DB18
, 5E049DB20
