特許
J-GLOBAL ID:200903013206431083

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-350814
公開番号(公開出願番号):特開2005-116875
出願日: 2003年10月09日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 半導体チップの一面側と他面側とに、それぞれヒートシンクを設けるとともに、装置のほぼ全体が樹脂でモールドされてなる半導体装置において、ヒートシンクブロックについて寸法や形状などを規定することによって、半導体チップとヒートシンクブロックとの間に介在する接合材における信頼性を適切に向上させる。【解決手段】 半導体チップ10の上下両面に、それぞれヒートシンク20、30が接合材50を介して設けられ、半導体チップ10と上側ヒートシンク30との間には、ヒートシンクブロック40が、半導体チップ10上側ヒートシンク30とを熱的および電気的に接続するように接合材50を介して設けられており、装置のほぼ全体が樹脂60でモールドされてなる半導体装置において、ヒートシンクブロック40の厚さが、0.5mm以上1.5mm以下である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発熱素子(10)の一面側と他面側とに、それぞれ、前記発熱素子(10)からの放熱を行うための放熱板(20、30)が、接合材(50)を介して設けられており、 前記発熱素子(10)の少なくとも一面側における前記発熱素子(10)と前記放熱板(30)との間には、放熱ブロック(40)が、前記発熱素子(10)と前記放熱板(30)とを熱的および電気的に接続するように接合材(50)を介して設けられており、 装置のほぼ全体が樹脂(60)でモールドされてなる半導体装置において、 前記放熱ブロック(40)の厚さが、0.5mm以上1.5mm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L23/36
FI (1件):
H01L23/36 Z
Fターム (4件):
5F036AA01 ,  5F036BB09 ,  5F036BB12 ,  5F036BD01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-196140   出願人:株式会社デンソー
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置及びその取り付け方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-232514   出願人:株式会社東芝
  • 特開昭62-216251
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-305228   出願人:株式会社デンソー
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