多層ウエハ用ゲッタ及びその作製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335654
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】接合ウエハのような誘電的分離ウエハ構造用の、ゲッタ構造を提供する。【構成】ゲッタ層は、溝により相互に分離された半導体領域を有するウエハ上に、堆積させる。層はエッチバックし、半導体領域の側壁に沿って、ポリシリコンの層を残す。ポリシリコンはドープしてもよい。ポリシリコンは酸化し、溝中の空孔を満すため、ポリシリコンを、堆積させる。

請求項（抜粋）：

動作層(たとえば13)及び操作層(たとえば11)を有し、動作層は溝(たとえば15)により、部分に分割され、各動作層部分は溝により形成された小表面(たとえば16)を有するウエハ(たとえば10)において、小表面の少くとも1つの上のゲッタリング層(たとえば17)を特徴とするウエハ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-038235
特開平4-114433
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299003 出願人：株式会社東芝

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