パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104803
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297607
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】良好なレジストパターン形状を得る。【解決手段】被加工基板上11に感光性の第1の樹脂膜12を形成する工程と、第1の樹脂膜12の所望の領域を露光して潜像13を形成する工程と、潜像が形成された第1の樹脂膜12上に第1の樹脂膜の現像液に可溶な第2の樹脂膜14を形成する工程と、これを第1の樹脂膜12の現像液15に晒して第1の樹脂膜12を現像する工程と、現像液に晒された基板表面を洗浄する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

被加工基板上に感光性の第1の樹脂膜を形成する工程と、この第1の樹脂膜の所望の領域を露光して潜像を形成する工程と、この潜像が形成された第1の樹脂膜上に第1の樹脂膜の現像液に可溶な第2の樹脂膜を形成する工程と、この第2の樹脂膜が潜像を有する第1の樹脂膜上に形成された基板を第1の樹脂膜の現像液に晒して第1の樹脂膜を現像する工程と、この現像液に晒された基板表面を洗浄する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/30 573 , H01L 21/30 514 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-296062
処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-084064 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開昭56-144444

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