特許
J-GLOBAL ID：200903013254348422
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069786
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274251
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】半導体装置製造工程の一工程である電気的特性検査工程において、被検体の電極パッドの大領域一括検査を行う。【解決手段】被検体の検査対象範囲に形成された検査対象導体部の数と等しい数の電気的に独立した突起を備えた検査構造体を被検体に押圧させて電気的特性検査を行う。
請求項（抜粋）：
ウェハーに多数の素子を形成する素子形成工程と、前記多数の素子が形成されたウェハー(被検体)をプロービング検査するプロービング検査工程と、前記多数の素子が形成されたウエーハ(被検体)をバーンイン検査するバーンイン検査工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記プロービング検査工程及び/又は前記バーンイン検査工程には、一主面に導電性の突起を備え、前記突起と,前記一主面とは反対側の面に設けられたパッドとが電気的に接続された検査構造体の前記突起を前記被検体の所望の位置に押圧する工程が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 B
, H01L 21/66 H
