特許

J-GLOBAL ID：200903013280070106

ドライプロセス用ガス

発明者： 岩森 暁 ,  福田 伸 ,  野崎 正平 ,  中島 康甫 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-247436
公開番号（公開出願番号）：特開平10-081600
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【解決手段】 成分にCH3 Iを含むドライプロセス用ガス。【効果】 本発明のドライプロセス用ガスを使用することによって、従来不可能であった導電性酸化物の、室温での高速異方性エッチング方法および地球環境に優しい乾式クリーニング方法及び銅のエッチング方法が提供される。

請求項（抜粋）：

成分にCF3 Iを含むドライプロセス用ガス。

IPC (3件)：

C30B 33/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C30B 33/12 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開昭63-303935
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-348467   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-033586
  
• 特開平4-170026
  
• 低温ドライエッチング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020769   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭64-017857
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-128594   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ITO膜のドライエッチング特性(II)