ウェハカセット装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339038
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177562
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】半導体ウェハをウェハトレイのウェハ支持部に真空吸着する際、半導体ウェハの平坦性を確保して、プローブカードとのコンタクトを良好にする手段の提供。【解決手段】ウェハトレイ6のウェハ支持部6aの位置に、ポーラス材料10が配置される。このポーラス材料10は、組織中に多数のポア(気孔)を有するポーラス(多孔質)構造の材料である。このポーラス材料10の上面には、前記半導体ウェハ4が配置されると共に、このポーラス材料10の左側方には、ウェハトレイ6に横方向に延びる真空通路6bが形成され、ポーラス材料10の端部は前記真空通路6bにつながる。従って、この真空通路6bから排気すると、前記ポーラス材料10の組織中の多数のポアが排出されて、ポーラス材料10の全体が均一に縮小しながら、半導体ウェハ4の下面がポーラス材料10に真空吸着される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

上面に半導体ウェハを保持するウェハ保持部を有するウェハトレイと、前記ウェハトレイの上方に前記ウェハ保持部と対向するように設けられたプローブカードと、前記ウェハトレイ上面のウェハ保持部の外方に設けられ、前記プローブカードと共に密閉空間を形成するシール部材とを備え、前記ウェハ保持部には、前記半導体ウェハの下面を前記ウェハ保持部の上面に真空吸着させるための材料として、組織中にポアを有するポーラス構造の材料が配置されることを特徴とするウェハカセット装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 21/673 , H01L 21/683

FI (3件)：

H01L21/66 H , H01L21/68 U , H01L21/68 P

Fターム (17件)：

4M106AA01 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA27 , 4M106DJ02 , 5F031CA02 , 5F031DA05 , 5F031DA08 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031GA24 , 5F031GA26 , 5F031HA05 , 5F031HA13 , 5F031KA12 , 5F031MA33 , 5F031NA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-301418 出願人：松下電器産業株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-250159 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-230542

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