特許
J-GLOBAL ID:200903013297793365

基板研磨方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-103745
公開番号(公開出願番号):特開平9-267256
出願日: 1996年03月29日
公開日(公表日): 1997年10月14日
要約:
【要約】【課題】 半導体基板の特に周辺部においても均一な表面研磨を保証する基板研磨方法及びその装置を提供する。【解決手段】 基体11に保持された基板Wと定盤12との間に研磨布13を介在させながら、基板11の表面を研磨してその平坦な表面形状を形成する。定盤12を基板11と同一形状・同一大もしくはそれ以下に設定し、研磨布13によって基板11を加圧研磨する。少なくとも基板11及び研磨布13間で相対移動を行わせながら基板11を加圧研磨する。基体11及び/又は定盤12の温度制御を行なうための温度制御手段15を備えている。基板11の中央部及び周辺部にて均等な研磨圧力で研磨し、基板表面を平坦均一化する。
請求項(抜粋):
基体に保持された基板と定盤との間に研磨布を介在させながら、前記基板の表面を研磨してその平坦な表面形状を形成するようにした基板研磨方法であって、前記定盤を前記基板と同一形状・同一大もしくはそれ以下に設定し、研磨布によって前記基板を加圧研磨することを特徴とする基板研磨方法。
IPC (3件):
B24B 37/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321
FI (3件):
B24B 37/04 A ,  B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 321 M
引用特許:
審査官引用 (4件)
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