特許
J-GLOBAL ID：200903013320128943

高周波低損失磁性薄膜

発明者：
白川 究

白川 究 について

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三寺 正雄

三寺 正雄 について

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村上 進

村上 進 について

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増本 健

増本 健 について


出願人/特許権者：
財団法人電気磁気材料研究所

財団法人電気磁気材料研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263423
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074016
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は高飽和磁束密度を有する磁性薄膜と絶縁薄膜との多層膜に関するもので、その目的とするところは、100MHz以上の高周波領域で損失の低い磁性薄膜を得ることにある。【構成】 磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において複素透磁率の実数部の実効値が450以上でかつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上又は200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜およびそれを用いた高周波デバイス。
請求項（抜粋）：
磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において、複素透磁率の実数部の実効値が450以上で、かつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上または200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜。
IPC (3件)：
H01F 10/16 ,  H01F 17/04 ,  H01F 19/00
FI (3件)：
H01F 10/16 ,  H01F 17/04 F ,  H01F 19/00 Z
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • マイクロ磁気素子磁心
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041118   出願人：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
  • 特開平4-211103
  • 特開平4-211103
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